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BJT

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NTE159

NTE159

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Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original

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Fabricante: NTE

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) PNP
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador de propósito general y en conmutación
  • IC max: 800 mA
  • PTOT: 625 mW
  • VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V
  • hFE : 50 min., 250 max. (@ IC=10 mA, VCE=10 V)
  • VCE(SAT): 0.15 V max. (@ IC=150 mA, IB=15 mA)
  • Encapsulado: TO-92
  • Complementario: NTE123AP
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí
 

Hoja de datos:      Descargar hoja de datos

Reemplaza a: Vea la lista Aquí

Notas:

Verifique que este dispositivo NTE si sea el reemplazo para el dispositivo de la lista anterior que requiera, en el software gratuito de reemplazos NTE QUICKCross o en el manual de semiconductores NTE actualizados, y verifique siempre el orden de pines de ambos dispositivos, ya que podrían existir errores de digitación. También las características técnicas claves de ambos dispositivos, especialmente en aplicaciones críticas. Los dispositivos NTE no deben ser usados en equipos de soporte vital, ya que no han sido diseñados y/o certificados para esa aplicación.

+ Gire el dispositivo NTE 180º para coincidir con la configuración de los pines del dispositivo a reemplazar


@ Existen mínimas diferencias mecánicas, pero el dispositivo NTE se podrá instalar en la mayoría de aplicaciones


? El dispositivo NTE podría no ser un equivalente eléctrico o mecánico exacto. Sin embargo, servirá como un substituto aceptable en la mayoría de aplicaciones típicas


* La configuración de los pines puede diferir del dispositivo a reemplazar. Consulte la hoja de datos de ambos dispositivos


& Diríjase a la página de reemplazos especiales "Special Replacement Data Section" Aquí o en la guía de semiconductores NTE

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