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BJT

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NTE58

NTE58

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Transistor de alta potencia NPN para amplificación de audio y de propósito general. IC: 17 A, PD: 200 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 6 V, fT: 20 MHz, encapsulado MT-200. Original

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Fabricante: NTE

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN de alta potencia
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio y de propósito general
  • Amplia área de operación segura
  • IC max: 17 A
  • PD: 200 W  (@ TC: 25º C)
  • IB max: 5 A
  • VCEO: 200 V, VCBO: 200 V, VEBO: 6 V
  • hFE: 20 mínimo (@ IC= 8 A, VCE=4 V)
  • FT: 20 MHz típica
  • VCE(sat): 2.5 V max. (@ IC= 10 A, IB= 1 A)
  • Encapsulado TH/THT: MT-200
  • Complementario PNP: NTE59
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

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Reemplaza a:

2SC2774, 2SC2774YG, 2SC2922 @, 2SC2922LB, 2SC3857, 2SC3858, 2SC4386, 4050601606, C2773,  C2774D, C2774, C2922 @, C3857, C3858, C4386, ECG58, SK9448, SK9448/58, entre otros

Notas:

Verifique que este dispositivo NTE si sea el reemplazo para el dispositivo de la lista anterior que requiera, en el software gratuito de reemplazos NTE QUICKCross o en el manual de semiconductores NTE actualizados, y verifique siempre el orden de pines de ambos dispositivos, ya que podrían existir errores de digitación. También las características técnicas claves de ambos dispositivos, especialmente en aplicaciones críticas.

@ Existen mínimas diferencias mecánicas, pero el dispositivo NTE se podrá instalar en la mayoría de aplicaciones

 

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