2N3906

Fabricante: ON Semiconductor, National Semiconductor (TI)

Características:

• Transistor Bipolar (BJT) PNP
• Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general con corrientes de colector de 10 μA a 100 mA
• I_C: 200 mA
• P_D: 625 mW
• V_CEO: 40 V, V_CBO: 40 V, V_EBO: 5 V
• hFE: 100 a 300 (@ I_C 10 mA y V_CE 1 V), 30 min. (@ I_C 100 mA y V_CE 1 V)
• f_T: 250 MHz min.
  
• V_CE(sat): 0.4 V max. (@ I_C 50 mA)
• Encapsulado: TO-92
• Complementario: 2N3904
• Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

Hoja de datos ON Semiconductor:    

Hoja de datos National Semiconductor: Aquí

Equivalentes: NTE159, 159