BJT

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2N3906

2N3906

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Transistor PNP de propósito general. IC: 200 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT 250 MHz, encapsulado TO-92. Original

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Fabricante: ON Semiconductor, National Semiconductor (TI)

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) PNP
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general con corrientes de colector de 10 μA a 100 mA
  • IC: 200 mA
  • PD: 625 mW
  • VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V
  • hFE: 100 a 300 (@ IC 10 mA y VCE 1 V), 30 min. (@ IC 100 mA y VCE 1 V)
  • fT: 250 MHz min.
  • VCE(sat): 0.4 V max. (@ IC 50 mA)
  • Encapsulado: TO-92
  • Complementario: 2N3904
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

 

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Equivalentes: NTE159, 159