BJT

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2N3055

2N3055

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Transistor NPN de potencia. IC: 15 A, PD: 115 W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 3 MHz, encapsulado TO-3. Original

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Fabricante: NJS, ST

Características:

  • Transistor Bipolar (BJT) NPN
  • Dispositivo diseñado para circuitos de conmutación de potencia, reguladores en serie y paralelo, etapas de salida y amplificadores de audio
  • IC: 15 A max.
  • IB: 7 A max.
  • PD: 115 W max.
  • VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V,   max.
  • fT: 3 MHz mínimo
  • Encapsulado: TO-3 de 2 pines
  • Producto genuino

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Hoja de datos NJS: Aquí

Equivalentes: NTE130, 130