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Transistores

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Transistores

Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 148 productos.

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  • BJT
    BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT)

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    BJT Darlington

    Transistores de unión bipolar (BJT) Darlington (BJT's en tándem)

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    IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

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    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

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    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

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    PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

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    Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original

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    Transistor PNP de propósito general. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original

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    Transistor PNP de bajo ruido. IC: 100 mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. Original

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    Transistor PNP de propósito general. IC: 1A, PD: 1.35 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V, fT: 145 MHz, encapsulado SMD SOT-223. Original

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    Transistor NPN de propósito general. IC: 1A, PD: 1.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V, fT: 130 MHz, encapsulado SMD SOT-223. Original

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    Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V. Original

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    Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5 V. Original

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    Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original

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    Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A, PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V. Original

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    Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDG = 30 V, VGS = -30 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original

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    Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA, PW 225 mW, diodo damper. Original

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    Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, muy alta velocidad tON 2 ns y tOFF 9 ns, VDS 60 V, RDS 1 Ω, ID 360 mA, PW 350 mW, diodo damper. Original

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    Par de transistores MOSFET complementarios (N y P) de baja potencia, VDS 20 V, RDS 66 mΩ típica (N) 145 mΩ típica (P), ID 3 A (N) 2.2 A (P), PW 900 mW. Encapsulado SMD/SMT SSOT-6. Original

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    Módulo IGBT, dual, 1200 V, 300 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días

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  • COP$ 6.200 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal P, VDSS 60 V, RDS 0.07 Ω, ID 27 A, PW 120 W, ton 18 ns, toff 30 ns. Original

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  • COP$ 525.000 Fuera de stock

    Módulo IGBT, 1200 V, 400 A. Original. Producto por encargo, se envia de 7 a 9 días

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  • COP$ 4.460 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 100 V, RDS 0.27 Ω, ID 9.2 A, PW 60 W. Original

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    MOSFET de potencia canal N. VDSS 100 V, ID 33 A, PW 130 W, RDS(on) 44 mΩ, tON 11 ns y tOFF 39 ns, diodo damper. Original

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