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Transistores bipolares, FET, MOSFET, Darlington, unijuntura, entre otros.

Transistores Hay 106 productos.

Subcategorías

  • BJT

    Transistores de unión bipolar (BJT), incluyendo Darlingtons (BJT's en tándem)

  • JFET

    Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)

  • IGBT

    Transistores bipolares de compuerta aislada ó IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

  • MOSFET

    Transistores de efecto de campo semiconductor de metal-óxido (MOSFET)

  • PUT / UJT

    Transistores de unijuntura programables (PUT) y transistores de unijuntura (UJT)

por página
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  • USD$ 0.89 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V, fT: 250 MHz, encapsulado TO-92. Original

    USD$ 0.89
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    Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original

    USD$ 1.14
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  • USD$ 17.25 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 350 ns, VDS 900 V, ID 8 A, RDS 1.2 Ω, PW 150 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

    USD$ 17.25
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  • USD$ 12.13 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 130 ns y tOFF 440 ns, VDS 500 V, RDS 0.5 Ω, ID 10 A, PW 125 W, diodo damper. Incluye aislante de mica. Original

    USD$ 12.13
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  • USD$ 5.73 En stock

    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, , RDS 0.077 Ω, VDS 100 V, ID 28 A, PW 150 W, diodo damper. Original

    USD$ 5.73
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    Transistor Darlington NPN de propósito general. IC: 4 A, PTOT: 40 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V. Incluye aislante de mica. Original

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    Transistor MOSFET de potencia, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 45 ns y tOFF 325 ns, VDS 900 V, ID 14 A, RDS 0.63 Ω, PW 275 W, diodo damper. Original

    USD$ 14.64
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    Transistor NPN de alto voltaje para la amplificación de video. IC: 100 mA, PTOT: 900 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 6 V, fT: 50 MHz, Giant TO-92. Original

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  • USD$ 0.05 En stock

    Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92.

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  • USD$ 0.05 En stock

    Transistor PNP de propósito general. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-92. Original

    USD$ 0.05
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    Transistor NPN de audio. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92. Original

    USD$ 0.13
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    Transistor PNP de audio. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92. Original

    USD$ 0.13
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    Transistor PNP de audio, buena linealidad. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor NPN de audio, buena linealidad. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor NPN de alta ganancia y buena linealidad. IC: 100 mA, PD: 400 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor PNP de alta ganancia y buena linealidad. IC: 100 mA, PD: 450 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92. Original

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    Transistor NPN de alta frecuencia para amplificación AM/FM e IF y oscilador local de sintonizadores FM/VHF. IC: 50 mA, PD: 310 mW, VCEO: 18 V, VCBO: 25 V, VEBO: 4 V, fT: 600 MHz, encapsulado TO-92. Original

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