Transistor MOSFET, canal N, modo de enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA, PW 225 mW, diodo damper. Original
Triac de 25 A y 600 V, corriente pico no repetitiva: 250 A, alta inmunidad al ruido, soporta altos dI/dt y dV/dt. Original
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación VHF/UHF, osciladores y mezcladores, VDS = 25 V, VGS = 25 V, IGF = 10 mA, PD = 350 mW. Original
Kit 30 experimentos para aprender electrónica básica
Transistor PNP de bajo ruido, alta ganancia y alto voltaje para amplificación de audio. IC: 50 mA, PD: 500 mW, VCEO: 120 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92. Original
Regulador de voltaje ajustable positivo de 1.2 a 37 V y 1.5 A de corriente. Original.
Doble diodo rectificador Schottky, cátodo común, 12.5 A por diodo, 45 V. Original
Versión SMD del 2N2222 / PN2222. Transistor NPN de propósito general. IC: 600 mA, PD: 225 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75 V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado SMD SOT-23. Original
Optoacoplador de fase aleatoria con fototriac, corriente de disparo 6 mA, voltaje de salida 600 V, voltaje de aislamiento 4.17 kV, alta capacidad dv/dt. Encapsulado DIP. Original
Diodo rectificador súper rápido, tiempo de recuperación 60 ns, 8 A, 600 V. Encapsulado TO-220AC. Original
Diodo rectificador ultra rápido de juntura de vidrio pasivado, 2 A, 200 V, 35 ns, alta frecuencia. SMD. Original
Controlador PWM para fuentes de voltaje conmutadas, incluye referencia de voltaje, doble amplificador de error, oscilador ajustable, modulador de ancho de pulso, flip-flop de dirección de pulso, doble suiche de salida alternante y comparador de control de tiempo muerto. Alimentación 8 V a 35 V, salidas 200 mA. Encapsulado DIP. Original
Transistor NPN, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor NPN, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original
Transistor PNP, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V. Original