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NTE638

NTE638

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Diodo damper, tiempo de recuperación 4 ns, 2.5 A, 1600 V. Original

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Fabricante: NTE

Características:

  • Diodo diseñado especialmente para operar como damper
  • Tiempo de recuperación: 4 ns max. (IF = IR = 100 mA, punto de recuperación 90%). 1.3 ns max. (IF = 100 mA, IR = 200 mA, punto de recuperación 75%)
  • Voltaje en directo: 1.3 V max.  (@ 2.5 A)
  • Corriente de fuga: 50 μA max. (VR = 1600 V). 500 μA max. (VR = 1600 V, TA = +100 ºC)
  • Corriente en directo promedio max: 2.5 A
  • Voltaje inverso pico max: 1600 V
  • Transitorio de corriente pico en directo max: 50 A  (50 Hz, 1/2 ciclo seno, 1 sola vez)
  • Encapsulado: Similar al DO-27
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

Hoja de datos:      Descargar hoja de datos

Reemplaza a:

RH10F, RH2D, RH2F, RH3F, RH3FS, RH3G, RH4F, RH4FS, RS3FS, RS4FS, entre otros

Notas:

Verifique que este dispositivo NTE si sea el reemplazo para el dispositivo de la lista anterior que requiera, en el software gratuito de reemplazos NTE QUICKCross o en el manual de semiconductores NTE actualizados, y verifique siempre el orden de pines de ambos dispositivos, ya que podrían existir errores de digitación. También las características técnicas claves de ambos dispositivos, especialmente en aplicaciones críticas.

 

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