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Par de transistores MOSFET complementarios FDC6420C Ver más grande

FDC6420C

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Par de transistores MOSFET complementarios (N y P) de baja potencia, VDS 20 V, RDS 66 mΩ típica (N) 145 mΩ típica (P), ID 3 A (N) 2.2 A (P), PW 900 mW. Encapsulado SMD/SMT SSOT-6. Original

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Fabricante: Fairchild

Características: 

  • Par de transistores MOSFET complementarios (Canal N y canal P) en la misma pastilla
  • VDS = 20 V, ID = 3 A (N) 2.2 A (P), PW = 900 mW
  • Muy baja resistencia en conducción RDS = 66 mΩ típica (N), 145 mΩ típica (P)
  • Desempeño en conmutación superior
  • Compuerta de bajo almacenamiento de carga
  • Encapsulado: SMD/SMT SSOT-6
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

 

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