IRFB4227

Fabricante: International Rectifier

Características: 

• MOSFET canal N
  
• Capacidad de tolerar avalanchas repetitivas le proporcinan confiabilidad y robustez
  
• Baja carga de compuerta total para alta velocidad: Q_G = 70 nC típica
• Puede operar con temperaturas de juntura de hasta 175 ºC
• V_DS max. = 200 V
  
• V_GS max. = ±30V
• I_D max. = 65 A (@ T_C = 25 ºC, V_GS 10 V)
  
• I_DM pulsada max. = 260 A
• Soporta elevados picos de corriente repetitivos para una mayor confiabilidad: I_RP max. = 130 A (@ T_C = 100 ºC)
• P_W max. = 330 W  (@ T_C = 25 ºC)
  
• Voltaje de umbral de la compuerta: 3 V a 5 V
  
• Muy baja resistencia en conducción R_DS = 19.7 mΩ típica
• Tiempos de levantamiento y decaimiento cortos para un suicheo rápido t_r : 20 ns típico. t_f: 31 ns típico (@ V_DD 100 V, I_D 46 A, R_G 2.5 Ω, V_GS 10 V)
  
• t_ON : 33 ns típico. t_OFF: 21 ns típico (@ V_DD 100 V, I_D 46 A, R_G 2.5 Ω, V_GS 10 V)
  
• Diodo damper incorporado
  
• Encapsulado: TO-220AB
• Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

Aplicaciones:

• Conmutación
• Inversores
• Amplificadores de audio clase D en medio puente de 300 W a 500 W
  
• Sostenimiento, recuperación de energía y suiche de paso en displays de plasma
• Entre otros

Hoja de datos:     

Equivalentes: IIRFB4227