öğrencilerin en çok zorlandığı dersleri verdiklerinin sikiş izle farkında oldukları için sınıfta kalacak olan seksi liseli kızlara porno daha iyi not vermek üzere onları tuzaklarına düşürüp hd porno sikmek gibi bir yöntem bulmuşlardır Okulun ilk yarıyılının son porno seyret zamanlarında bu iki dersten sınıfta kalmak üzere olan kızların sikiş kendilerini geçirmeleri için olgun öğretmenleriyle yasak ilişkili türk porno aşk yaşamak istemelerinden memnun olan iki öğretmen daha önce seks sikiş yaparak birbirlerine haber verdikleri olgun öğretmenlerin evinde buluşurlar üvey erkek kardeşi ile aynı okulda okuyan genç kız porno okulda sürekli üvey kardeşi hakkında kızların konuştuğunu duymaktadır porno izle söylemek istemeyince zorlayarak onlara ne olduğunu sorar anal porno konuşmak istiyorum diyerek emir verir genç adam mecburen siker xhamster kadın koca depoda kimse yokken hamal ile yakınlaşmak ister yanına çağırdığı adama verir porno izle tangalı kalçalarını açıp kuzencim amımın huzura ihtiyacı var giderir misin der
> >>IRFB4227

MOSFET

Fabricantes

Transistor MOSFET IRFB4227 Ver más grande

IRFB4227

IRFB4227PbF

Nuevo

MOSFET de potencia canal N. VDS 200 V, ID 65 A, PW 330 W, RDS(on) 19.7 mΩ, tON 33 ns y tOFF 21 ns, diodo damper. Original

Más detalles

53 Artículos

En stock

COP$ 23.600

Más información

Fabricante: International Rectifier

Características: 

  • MOSFET canal N
  • Capacidad de tolerar avalanchas repetitivas le proporcinan confiabilidad y robustez
  • Baja carga de compuerta total para alta velocidad: QG = 70 nC típica
  • Puede operar con temperaturas de juntura de hasta 175 ºC
  • VDS max. = 200 V
  • VGS max. = ±30V
  • ID max. = 65 A (@ TC = 25 ºC, VGS 10 V)
  • IDM pulsada max. = 260 A
  • Soporta elevados picos de corriente repetitivos para una mayor confiabilidad: IRP max. = 130 A (@ TC = 100 ºC)
  • PW max. = 330 W  (@ TC = 25 ºC)
  • Voltaje de umbral de la compuerta: 3 V a 5 V
  • Muy baja resistencia en conducción RDS = 19.7 mΩ típica
  • Tiempos de levantamiento y decaimiento cortos para un suicheo rápido tr : 20 ns típico. tf: 31 ns típico (@ VDD 100 V, ID 46 A, RG 2.5 Ω, VGS 10 V)
  • tON : 33 ns típico. tOFF: 21 ns típico (@ VDD 100 V, ID 46 A, RG 2.5 Ω, VGS 10 V)
  • Diodo damper incorporado
  • Encapsulado: TO-220AB
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

Aplicaciones:

  • Conmutación
  • Inversores
  • Amplificadores de audio clase D en medio puente de 300 W a 500 W
  • Sostenimiento, recuperación de energía y suiche de paso en displays de plasma
  • Entre otros

Hoja de datos:     Descargar hoja de datos

Equivalentes: IIRFB4227

 

Accesorios

27 otros productos en la misma categoría: