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MOSFET

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IRFB4227

IRFB4227PbF

Nuevo

MOSFET de potencia canal N. VDS 200 V, ID 65 A, PW 330 W, RDS(on) 19.7 mΩ, tON 33 ns y tOFF 21 ns, diodo damper. Original

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Fabricante: International Rectifier

Características: 

  • MOSFET canal N
  • Capacidad de tolerar avalanchas repetitivas le proporcinan confiabilidad y robustez
  • Baja carga de compuerta total para alta velocidad: QG = 70 nC típica
  • Puede operar con temperaturas de juntura de hasta 175 ºC
  • VDS max. = 200 V
  • VGS max. = ±30V
  • ID max. = 65 A (@ TC = 25 ºC, VGS 10 V)
  • IDM pulsada max. = 260 A
  • Soporta elevados picos de corriente repetitivos para una mayor confiabilidad: IRP max. = 130 A (@ TC = 100 ºC)
  • PW max. = 330 W  (@ TC = 25 ºC)
  • Voltaje de umbral de la compuerta: 3 V a 5 V
  • Muy baja resistencia en conducción RDS = 19.7 mΩ típica
  • Tiempos de levantamiento y decaimiento cortos para un suicheo rápido tr : 20 ns típico. tf: 31 ns típico (@ VDD 100 V, ID 46 A, RG 2.5 Ω, VGS 10 V)
  • tON : 33 ns típico. tOFF: 21 ns típico (@ VDD 100 V, ID 46 A, RG 2.5 Ω, VGS 10 V)
  • Diodo damper incorporado
  • Encapsulado: TO-220AB
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

Aplicaciones:

  • Conmutación
  • Inversores
  • Amplificadores de audio clase D en medio puente de 300 W a 500 W
  • Sostenimiento, recuperación de energía y suiche de paso en displays de plasma
  • Entre otros

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Equivalentes: IIRFB4227

 

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