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IRFZ44V

IRFZ44VPbF

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Transistor MOSFET de potencia, canal N, tecnología HEXFET™, alta velocidad tON 13 ns y tOFF 40 ns, VDS 60 V, ID 55 A, RDS 16.5 mΩ, PW 115 W, diodo damper. Original

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Fabricante: International Rectifier (Infineon)

Características: 

  • MOSFET canal N tecnología HEXFET™
  • VDS max. = 60 V
  • VGS max. = ±20 V
  • ID continua max. = 55 A
  • ID pulsada max. = 220 A
  • PW max. = 115 W (@ TC = 25 ºC)
  • RDS = 16.5 mΩ max.
  • Alta velocidad. tON : 13 ns típico. tOFF: 40 ns típico  (@ VDD 30 V, ID 51 A, RG 9.1 Ω)
  • Diodo damper incorporado
  • Encapsulado THT: TO-220AB
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

 

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Equivalentes: NTE2395, 2395, IRFZ44N, IRFZ44NPbF, IRFZ44E, IRFZ44EPbF, AUIRFZ44N, AUIRFZ44V, entre otros

 

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