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Transistor MOSFET de potencia, canal N, VDS 100 V, RDS 0.27 Ω, ID 9.2 A, PW 60 W

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Fabricante: Vishay Siliconix

Características: 

  • MOSFET canal N
  • VDS = 100 V, ID = 9.2 A, PW = 60W
  • Baja resistencia en conducción RDS = 0.27 Ω max.
  • Especificaciones dadas para avalanchas repetitivas y dv/dt dinámicos
  • Temperatutra de operación hasta 175 ºC
  • Conmutación rápida
  • Fácil de poner en paralelo
  • Encapsulado: TO-220AB

 

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Equivalentes: NTE2382