MOSFET

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2N7000

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Transistor MOSFET de baja potencia, canal N, VDS 60 V, RDS 1.8 Ω, ID 200 mA, PW 400 mW. Original

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Fabricante: Fairchild

Características: 

  • MOSFET canal N modo mejorado
  • VDS = 60 V, ID = 200 mA, PW = 400 mW
  • Resistencia en conducción RDS = 1.8 Ω típica
  • Conmutación rápida
  • Corriente de saturación alta
  • Encapsulado: TO-92
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

 

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Equivalentes: NTE491, 491