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MOSFET de potencia canal N. VDSS 200 V, RDS(on) 0.15 Ω, I18 A, P150 W. Original

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Fabricante: International Rectifier (Infineon)

Características:

  • MOSFET Canal N tecnología HEXFET™
  • VDSS=200 V, RDS(on)=0.15 Ω, ID=18 A, PW=150 W, VGS=±20 V, IAR=18 A
  • Capacidad dV/dt dinámica
  • Capacitancia, voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados
  • Crss 53 pF típica
  • Fácil de poner en paralelo
  • Encapsulado: TO-220AB
  • Producto genuino. Para saber más sobre la falsificación de semiconductores: Aquí

 

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Equivalentes: NTE2374, 2374

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