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IRF640

IRF640NPBF

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MOSFET de potencia canal N. VDSS 200 V, RDS(on) 0.55 Ω, I18 A, P150 W.

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Fabricante: Fairchild

Características:

  • Uso en UPS's, SMPS's, balastos, conmutación (suicheo) de alta velocidad, etc.
  • Canal N
  • VDSS=200 V, RDS(on)=0.54 Ω, ID=18 A, PW=150 W, VGS=±30 V, IAR=10 A
  • Capacidad dV/dt mejorada
  • Capacitancia, voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados
  • Carga de compuerta baja garantiza un manejo sencillo. 41 nC típica
  • Baja Crss, 35 pF típica
  • Encapsulado: TO-220

 

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Equivalentes: NTE2374, 2374